报告日期：2021.06.03（星期四）
报告地点：虎溪校区LA104
报告时间：16:00 – 17:30
报告人员：吴锐 副研究员（北京量子信息科学研究院）
个人简介
吴锐，现任北京量子信息科学研究院副研究员，2015年毕业于北京大学获理学博士学位，之后在剑桥大学、挪威科技大学、德国美因茨大学从事博士后研究。主要从事低维磁性材料和器件研究。目前，已在Nat. Electron.、Nat.Commun.、Adv.Funct. Mater.、ACS Appl. Mater. & Interfaces、Phys. Rev. B等发表SCI期刊论文 41篇，其中第一作者或通讯作者论文14篇。参与翻译英文学术专著1部。在国际会议做口头报告3次，邀请报告1次，曾担任美国陶瓷协会国际电子材料及应用（EMA）大会分会主席。担任包括ACS Appl. Mater. & Interfaces，APL Materials在内的多个国际一流期刊的审稿人。参与了国家自然科学基金、863/973项目，以及英国勒沃胡姆信托基金，挪威卓越中心计划（SFF）项目近 10个。
报告摘要
随着数字技术的迅速发展，到2030 年，信息通信技术将消耗全球总电力的 20%。世界各地的数据中心所用电力预计将占其中的三分之一，这将超过许多国家的所有能源消耗。与此同时，信息通信技术的碳足迹将激增至目前的10倍。新的超低功耗计算机存储技术既能最大限度地减少环境影响，又能满足消费者日益增长的需求。磁电耦合效应允许材料的磁化强度由电场控制，从而可以显著减小器件功耗，为下一代信息存储器件提供了解决方案。本报告将介绍一类新型的具有垂直结构的多铁纳米复合薄膜材料。该垂直结构由于有效克服了衬底对薄膜的钳制效应，在理论上可以表现出远大于多层膜结构的磁电耦合效应。但是，由于该结构对材料选取的限制，目前研究的体系大多具有漏电率高、工作温度低、需要大的偏置场等缺点，从而制约了其实际应用。我们最近的研究通过恰当的材料选择和结构设计，成功克服上述缺点，使该体系有望进一步应用于磁电随机存储器（MeRAM）等自旋电子学器件中。
